フランジ減衰チップ
フランジ減衰チップは、RF信号電力を均等に低減するように設計されており、最大電力でもわずかな反射しか発生しません。 フランジ減衰チップは通常、高出力アンプで使用され、アイソレータの端子減衰器として使用されます。
フランジ減衰チップには、フランジ構造と2番目のリードが含まれ、溝、ボルト固定穴、セラミック固定エッジがフランジ構造に配置され、凸状の固定ロッドが溝の内側に固定され、窒化アルミニウムセラミックマトリックスが配置されます。窒化アルミニウムセラミックマトリックス上に溝、底板、固定穴を配置し、最初のリード線を底板に固定し、抵抗R1、抵抗R2、抵抗R3、抵抗R5の背面を導体で接続します。窒化アルミニウムセラミックカバーは窒化アルミニウムセラミックマトリックスの上に覆われ、窒化アルミニウムセラミックカバーはカバープレートとサイドストリップで構成されています
フランジ減衰チップは合理的な構造になっています。 分岐導体は、抵抗を分離し、熱放散を改善し、機器コンポーネントの耐用年数を改善するために使用されます。 同時に、エポキシ樹脂保護フィルムは、減衰器の安定性を改善し、マイクロ波調整をより適切に実行し、RF減衰器の開発を促進するために使用されます。
RFTYTは、RFアイソレータ、RFサーキュレータ、RF抵抗、RF減衰チップ、同軸負荷(ダミー負荷)、同軸減衰器、RFフィルタ、RFダイプレクサ、RFコンバイナ、RFカプラ、パワーディバイダ、ブリッジ、RF増幅器、同軸ケーブルおよびその他のマイクロ波通信製品。
RFTYTフランジ減衰チップ
製品パラメータ | ||||||
モデル |
周波数範囲 |
力 |
減衰値 |
VSWR(最大) |
サイズ(mm) |
仕様 |
RFTXXA-02ABJ1309-3G |
DC-3.0GHz |
2 W |
1〜30dB |
1.2 |
4×13 |
|
RFTXXA-05ABM1309-4G |
DC-4.0GHz |
5 W |
1〜30dB |
1.25 |
4×13 |
|
RFTXX-10ABM7751-4G |
DC-4.0GHz |
10 W |
1〜30dB |
1.25 |
5×7.7mm |
|
RFTXX-10ABM0907-3G |
DC-3.0GHz |
10 W |
1〜30dB |
1.2 |
4×9 |
|
RFTXX-20ABM1309-4G |
DC-4.0GHz |
20 W |
1〜30dB |
1.25 |
4×13 |
|
RFTXX-30ABM1310-6G |
DC-6.0GHz |
30 W |
1〜30dB |
1.2 |
6x13 |
|
RFTXX-60ABM2014-6G |
DC-6.0GHz |
60W |
1〜30dB |
1.25 |
6x20 |
|
RFTXXN-100ABM3222B-500M |
DC-500MHz |
100W |
1〜30dB |
1.2 |
12.7x32 |
|
RFTXXN-100ABJ2014-3G |
DC-3.0GHz |
100 W |
1〜30dB |
1.2 |
6x20 |
|
RFTXX-100ABJ1613-6G |
DC-6.0GHz |
100 W |
1〜30dB |
1.25 |
6x16 |
|
RFTXX-100ABJ2014-6G |
DC-6.0GHz |
100 W |
1〜30dB |
1.25 |
6x20 |
|
RFTXX-150ABM2214-3G |
DC-3.0GHz |
150 W |
1〜30dB |
1.25 |
9.5x22 |
|
RFTXXN-150ABJ2115-3G |
DC-3.0GHz |
150W |
1〜30dB |
1.25 |
20.8x6.5x2.5 |
|
RFTXX-150ABM2518-3G |
DC-3.0GHz |
150W |
1〜30dB |
1.20 |
24.8x9.5x5 |
必要なRF減衰チップがフォームに記載されていない場合は、詳細についてお問い合わせください。
RF減衰チップはニーズに応じてカスタマイズする必要があるため、お問い合わせの際は次の要件をお知らせください。
(マーク*が必要です)
* 1。 必要な周波数範囲。
* 2。 電力要件。
* 3。 減衰値と減衰精度
* 4。 あなたが持っているならあなたの特別な要件(VSWR、温度、サイズなど)
http://ja.rf-tyt.com/